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    K6X8016T3B-TF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6X8016T3B-TF70图片预览
    型号： K6X8016T3B-TF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM [512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 131 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6X8016T3B家庭
    建议的直流工作条件
    1)
    项
    电源电压
    地
    输入高电压
    输入低电压
    符号
    VCC
    VSS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    2.7
    0
    2.2
    -0.3
    3)
    典型值
    3.0/3.3
    0
    -
    -
    CMOS SRAM
    最大
    3.6
    0
    Vcc+0.3
    2)
    0.6
    单位
    V
    V
    V
    V
    注意：
    1.工业产品：T已
    A
    = -40〜 85 ℃，另有规定。
    汽车产品：T已
    A
    = -40〜 125 ℃，另有规定。
    2.过冲： V
    CC
    + 3.0V的情况下脉冲宽度的
    ≤30ns.
    3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
    ≤30ns.
    4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
    电容
    1)
    （ F = 1MHz的，T
    A
    =25°C)
    项
    输入电容
    输入/输出电容
    1.电容进行采样，而不是100 ％测试
    符号
    C
    IN
    C
    IO
    测试条件
    V
    IN
    =0V
    V
    IO
    =0V
    民
    -
    -
    最大
    8
    10
    单位
    pF
    pF
    DC和工作特性
    项
    输入漏电流
    输出漏电流
    工作电源电流
    平均工作电流
    输出低电压
    输出高电压
    待机电流（ TTL ）
    待机电流（ CMOS ）
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    I
    CC2
    V
    OL
    V
    OH
    I
    SB
    I
    SB1
    V
    IN
    = VSS到Vcc
    CS = V
    IH ，
    OE = V
    IH
    或WE = V
    IL
    , V
    IO
    = VSS到Vcc
    I
    IO
    = 0毫安， CS = V
    白细胞介素，
    WE = V
    IH
    , V
    IN
    =V
    IH
    或V
    IL
    周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
    IO
    = 0毫安， CS≤0.2V ，V
    IN
    ≤0.2V
    or
    V
    IN
    ≥V
    CC
    -0.2V
    周期时间=最小，我
    IO
    = 0毫安， 100 ％的关税， CS = V
    IL
    , V
    IN
    =V
    IL
    或V
    IH
    I
    OL
    = 2.1毫安
    I
    OH
    = -1.0mA
    CS = V
    IH
    ，其它输入= V
    IH
    或V
    IL
    CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 〜 Vcc的
    K6X8016T3B-F
    K6X8016T3B-Q
    测试条件
    民
    -1
    -1
    -
    -
    -
    -
    2.4
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    1
    1
    2
    3
    30
    0.4
    -
    0.4
    15
    25
    单位
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    V
    V
    mA
    µA
    4
    修订版1.0
    2003年9月

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