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    K6X8016T3B-TF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6X8016T3B-TF70图片预览
    型号： K6X8016T3B-TF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM [512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 131 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X8016T3B-TF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6X8016T3B家庭
    写周期时序波形（ 1 ）
    （我们控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW(2)
    CS
    t
    AW
    t
    BW
    t
    WP(1)
    WE
    t
    AS(3)
    t
    DW
    DATA IN
    高-Z
    t
    WHZ
    数据输出
    数据中，未定义
    数据有效
    t
    OW
    t
    DH
    t
    WR(4)
    CMOS SRAM
    UB ， LB
    高-Z
    写周期时序波形（ 2 ）
    （ CS控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AS(3)
    CS
    t
    AW
    t
    BW
    UB ， LB
    t
    WP(1)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据有效
    t
    DH
    t
    CW(2)
    t
    WR(4)
    数据输出
    高-Z
    高-Z
    7
    修订版1.0
    2003年9月

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