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K7Q161854A-FC16 参数 Datasheet PDF下载

K7Q161854A-FC16图片预览
型号: K7Q161854A-FC16
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内容描述: 512Kx36位, 1Mx18位QDR SRAM [512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 511 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7Q163654A
K7Q161854A
READ AND NOP定时波形
K
t
KHKL
t
KHKH
t
KHKH
t
KLKH
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
B4 SRAM
NOP
K
t
AVKH
t
KHAX
SA
A1
t
IVKH
t
KHIX
A2
R
t
CHQX
1
Q(数据输出)
t
KHCH
Q1-1
Q1-2
t
CHQX
Q1-3
Q1-4
Q2-1
Q2-2
Q2-3
Q2-4
t
CHQZ
C
t
CHQV
C
t
CHQV
DON
在意
未定义
注意:
1. Q1-1是指从地址A1 + 0输出, Q1-2是指从地址A1 + 1输出,即下面的A1 + 0的下一个内部突发地址。
2.禁用输出NOP后的一个周期。
编写和NOP定时波形
t
KHKH
t
KLKH
NOP
K
t
KHKL
t
KHKH
K
t
AVKH
t
KHAX
SA
A1
t
IVKH
t
KHIX
A2
t
KHIX
W
D(中的数据)
D1-1
D1-2
D1-3
D1-4
D2-1
t
DVKH
D2-2
t
KHDX
D2-3
D2-4
DON
在意
注意:
1. D1-1指输入到地址A1 + 0 , D1-2指输入到地址A1 + 1个,即下列A 1 + 0的下一个内部猝发地址。
未定义
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七月。 2002年
1.0版