K7Q163654A
K7Q161854A
绝对最大额定值*
参数
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
在输入引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
工作温度
下偏置存储温度范围
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
B4 SRAM
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
P
D
T
英镑
T
OPR
T
BIAS
等级
-0.5到3.6
-0.5到V
DD
-0.5到V
DD+
0.3
1.8
-65到150
0到70
-10到85
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
*注意：
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个压力等级
该设备在这些或以上的任何其它条件在本说明书中的操作部分表示的只是与功能操作
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2. V
DDQ
一定不能超过V
DD
在正常操作期间。
DC电气特性
(V
DD
=2.5V
±0.1V,
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
IL
I
OL
测试条件
V
DD
= MAX; V
IN
=V
SS
到V
DDQ
输出禁用，
-20
工作电流（ X18 ） ： DDR
I
CC
V
DD
=最大，我
OUT
=0mA
周期
≥
t
KHKH
民
-16
-13
-10
-20
工作电流（ X36 ） ： DDR
I
CC
V
DD
=最大，我
OUT
=0mA
周期
≥
t
KHKH
民
-16
-13
-10
-20
设备选中，我
OUT
=0mA,
待机电流（ NOP ） ： DDR
I
SB1
F =最大，
所有的输入
≤
0.2V或
≥
V
DD
-0.2V
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入低电压
输入高电压
V
OH1
V
OL1
V
OH2
V
OL2
V
IL
V
IH
I
OH
=-1.0mA
I
OL
=1.0mA
-16
-13
-10
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DDQ
/2
V
SS
V
DDQ
-0.2
V
SS
-0.3
V
REF
+0.1
最大
+2
+2
520
460
430
390
600
550
490
420
200
190
180
170
V
DDQ
V
DDQ
/2
V
DDQ
0.2
V
REF
-0.1
V
DDQ
+0.3
V
V
V
V
V
V
2,7
3,7
4
4
8,9
8,10
mA
1,6
mA
1,5
mA
1,5
单位
µA
µA
笔记
注意事项：
1.最小周期。我
OUT
=0mA.
2. |I
OH
|=(V
DDQ
/ 2）/ （RQ / 5 ）， ±15％ @V
OH
=V
DDQ
/ 2 175Ω
≤
RQ
≤
350Ω.
3. |I
OL
|=(V
DDQ
/ 2）/ （RQ / 5 ）， ±15％ @V
OL
=V
DDQ
/ 2 175Ω
≤
RQ
≤
350Ω.
4.最低阻抗模式时， ZQ引脚连接到V
SS
.
5.工作电流计算50 ％的读周期， 50 ％的写入周期。
6.待机电流只有在所有待定读取和写入突发opeactions完成。
7.可编程阻抗模式。
8.这是直流测试的标准。 DC设计标准为V
REF
±50mV.
在AC V
IH
/V
IL
各级是分别定义的，用于测量
定时参数。
9. V
IL
（最小值） DC =
-
0.3V, V
IL
（最小值） AC = -1.5V （脉冲宽度
≤
3ns).
10. V
IH
（最大） DC =
V
DDQ
+0.3, V
IH
（最大） AC =
V
DDQ
+ 0.85V （脉冲宽度
≤
3ns).
-9-
七月。 2002年
1.0版
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
