K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
(K9F5608X0C)
I / O
0
- I / O
15
(K9F5616X0C)
引脚功能
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。该
I / O引脚浮到高红移当芯片被释放或当输出被禁止。
的I / O8 〜I / O15仅用于X16结构的设备。由于命令输入和地址输入均为x8能操作
ATION ，I / O8 〜I / O15不被用来输入命令&地址。 I / O8 〜 I / O15仅用于数据输入和使用
输出。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式中编程或擦除opertion 。对于在读CE控制
操作，请参阅“
对设备的操作页面read'section 。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚在上电期间TRA nsitions提供意外写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。当LOCKPRE是逻辑高和WP为逻辑低电平时，该
所有的块进入锁定状态。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
输出缓冲器电源
V
CC
Q是输出缓冲器的电源。
VCCQ在内部连接到Vcc ，从而应被偏置到Vcc 。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
不要使用
给它断开连接
锁紧机构&上电自动读取启用
启用和禁用锁定机制和开机自动读取。当LOCKPRE是逻辑高，
块锁定模式和上电自动读取模式被启用时，当LOCKPRE为逻辑低电平，座
在锁定模式和上电自动读取模式将被禁用。上电自动读取模式仅适用于
3.3V器件（ K9F56XXU0C ）
别离开它NC不使用锁机构&上电自动读取，将其连接Vss的。
t
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCCQ
VCC
VSS
N.C
DNU
LOCKPRE
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
6
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
