K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
图1-1 。 K9F5608X0C （ X8 ）功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
24
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
256M + 8M位
NAND闪存
ARRAY
A
0
- A
7
（ 512 + 16 ）字节x 65536
页寄存器& S / A
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC/
V
CCQ
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2-1 。 K9F5608X0C （ X8 ） ARRAY组织
1块= 32页
= （ 16K + 512 ）字节
64K网页
（ = 2048块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节×32页
= （ 16K + 512 ）字节
1设备= 528Bytes X 32Pages ×2048块
= 264兆位
8位
16字节
512Byte
页寄存器
512字节
16字节
I / O 2
A
2
A
11
A
19
I / O 3
A
3
A
12
A
20
I / O 0 〜I / O 7
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O 1
A
1
A
10
A
18
I / O 4
A
4
A
13
A
21
I / O 5
A
5
A
14
A
22
I / O 6
A
6
A
15
A
23
I / O 7
A
7
A
16
A
24
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义寄存器下半年的起始地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。
7
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
