欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

K9F5608U0C-PCB0 参数 Datasheet PDF下载

K9F5608U0C-PCB0图片预览
型号: K9F5608U0C-PCB0
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表 [512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 39 页 / 654 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K9F5608U0C-PCB0的Datasheet PDF文件第9页  
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
32M ×8位/ 16M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F5608Q0C-D,H
K9F5616Q0C-D,H
K9F5608U0C-Y,P
K9F5608U0C-D,H
K9F5608U0C-V,F
K9F5616U0C-Y,P
K9F5616U0C-D,H
2.7 ~ 3.6V
X16
X8
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
TSOP1
TBGA
WSOP1
TSOP1
TBGA
PKG型
TBGA
特点
电源
- 1.8V器件( K9F56XXQ0C ) : 1.70 〜 1.95V
- 3.3V器件( K9F56XXU0C ) : 2.7 〜 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 32M + 1024K )位×8位
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 16M + 512K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9F5616X0C ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9F5608X0C ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F5616X0C ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
:为10μs (最大值)
- 串行页面访问:为50ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
上电自动读取操作
安全锁机制
- K9F56XXU0C - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9F56XXX0C - DCB0 / DIB0
63-球TBGA ( 9× 11 /0.8mm间距,宽度1.0毫米)
- K9F5608U0C - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9F56XXU0C - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9F56XXX0C - HCB0 / HIB0
63-球TBGA ( 9× 11 /0.8mm间距,宽度1.0毫米)
- 无铅封装
- K9F5608U0C - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9F5608U0C - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9F5608U0C -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
提供在32Mx8bit或16Mx16bit的K9F56XXX0C是256M位有空余8M比特的容量。该器件采用1.8V或3.3V
VCC。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案,为固态大容量存储市场。程序操作即可
在典型的为200ps执行528个字节( X8设备)或264字( X16设备)页和擦除操作可在典型进行
在16K字节的iCal 2毫秒( X8设备)或8K字( X16器件)模块。在页面的数据可以在每个字50ns的周期时间被读出。该
I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写控制自动完成所有亲
克和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和数据的裕度。即使将写
密集的系统可以采取K9F56XXX0C的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期
ECC (纠错码)与实时映射出的算法。
该K9F56XXX0C为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
2