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K9F5608U0C-PCB0 参数 Datasheet PDF下载

K9F5608U0C-PCB0图片预览
型号: K9F5608U0C-PCB0
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内容描述: 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表 [512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 39 页 / 654 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
图1-2 。 K9F5616X0C ( X16 )功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
24
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
256M + 8M位
NAND闪存
ARRAY
A
0
- A
7
( 256 + 8 )字X 65536
页寄存器& S / A
Y型GATING
命令
命令
注册
I / O缓冲器&锁存器
V
CC/
V
CCQ
V
SS
I/0 0
I/0 15
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2-2 。 K9F5616X0C ( X16 ) ARRAY组织
1块= 32页
= ( 8K + 256 )字
64K网页
( = 2048块)
页寄存器
( = 256字)
第1页= 264字
1块= 264字×32页
= ( 8K + 256 )字
1设备= 264Words X 32Pages ×2048块
= 264兆位
16位
8字
256Word
页寄存器
256字
8字
I / O 3
A
3
A
12
A
20
I / O 4
A
4
A
13
A
21
I / O 0 〜I / O 15
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O 1
A
1
A
10
A
18
I / O 2
A
2
A
11
A
19
I / O 5
A
5
A
14
A
22
I / O 6
A
6
A
15
A
23
I / O 7
A
7
A
16
A
24
I / O8 〜15
L*
L*
L*
列地址
行地址
(页面地址)
:列地址:启动注册的地址。
* L必须设置为"Low" 。
8