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KM29U64000T 参数 Datasheet PDF下载

KM29U64000T图片预览
型号: KM29U64000T
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内容描述: 8M ×8位NAND闪存 [8M x 8 Bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 26 页 / 480 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM29U64000T , KM29U64000IT
AC时序特性对于命令/地址/数据输入
参数
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
WE脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE高保持时间
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
0
10
0
10
25
0
10
20
10
50
15
FL灰内存
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交流特性进行操作
参数
从单元传送数据到寄存器
ALE到RE延迟( ID读)
ALE到RE延迟(读周期)
CE到RE延迟( ID读)
准备再低
RE脉冲宽度
WE高到忙
读周期时间
RE访问时间
RE高到输出高阻
CE高到输出高阻
稀土高保持时间
输出高阻到RE低
最后RE高到忙(在顺序读取)
CE高到准备(如果拦截行政长官在读)
(1)
CE高保持时间(在最后的串行读)
(3)
RE低到状态输出
CE低到状态输出
WE高到RE低
RE存取时间(读取ID )
设备重置时间
(读/编程/擦除)
符号
t
R
t
AR1
t
AR2
t
CR
t
RR
t
RP
t
WB
t
RC
t
REA
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RB
t
CRY
t
CEH
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
WHR
t
READID
t
RST
-
100
50
100
20
30
-
50
-
15
-
15
0
-
-
100
-
-
60
-
-
最大
7
-
-
-
-
-
100
-
35
30
20
-
-
100
50 +微量(R / B)的
(2)
-
35
45
-
35
5/10/500
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
:1.如果CE变高为30ns内后,最后RE的上升沿R / B将不会返回到V
OL
.
2.时间来准备取决于上拉电阻连接的R / B引脚的值。
3.要打破顺序读周期, CE必须保持较高的时间长于tCEH 。
8