KM29U64000T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KM29U64000T
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内容描述：	8M ×8位NAND闪存 [8M x 8 Bit NAND Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	26 页 / 480 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

KM29U64000T ， KM29U64000IT

NAND闪存技术说明

无效块（S ）

FL灰内存

无效块被定义为包含一个或多个无效位，其可靠性并不由三星保证块。通常情况下，

无效块将包含一个坏一点。关于无效块（ S）的信息被所谓的无效块信息

化。

无效块的信息被写入到所述第一或无效块（多个）值为00h的数据的第2页。

无效的设备

块（多个）具有相同的质量水平或设备与所有有效的块，并且具有相同的交流和直流特性。无效的

块（多个）不影响有效块（多个）的性能，因为它是从位线和公共源极线通过一个分离

选择晶体管。该系统的设计必须能屏蔽掉经由地址的映射无效块（多个）。与非门的1号地块

闪光灯，但是，完全保证是一个有效的块。

识别无效块（ S）

所有设备的位置被删除（ FFH ），除非该无效块信息在发货之前写的位置。

自从

无效块的信息也可擦在大多数情况下，这是不可能恢复的信息，一旦它已经

删除。因此，该系统必须能够识别基于原始无效块的无效块（多个）

信息，并通过下面的建议的流程图创建无效块表（图1）。任何有意era-

肯定的原始无效块信息是禁止的。

开始

设置块地址= 0

增量块地址

创建（或更新）

无效块（多个）表

检查"FFh" ？

检查"FFH" 1号和第2页

是的

最后一个数据块？

是的

结束

图1.流程图创建无效块表。

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