订购数量: EN2005B
2SA1416 / 2SC3646
三洋半导体
数据表
2SA1416 / 2SC3646
特点
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•
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压开关的应用
采用FBET的, MBIT过程。
高耐压和大电流的能力。
快速开关速度。
超小尺寸使其易于提供高密度,小尺寸的混合IC的。
特定网络阳离子
(): 2SA1416
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板( 250毫米
✕0.8mm)
2
条件
评级
(--)120
(--)100
(--)6
(--)1
(--)2
500
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
标记2SA1416 : AB
2SC3646 : CB
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设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
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31010EA TK IM / O3103TN ( KT ) / 71598HA ( KT ) / 3277KI / N255MW , TS No.2005-1 / 5