2SA1416 / 2SC3646
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ -
- ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ -
-)100mA
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ -
- ） 400毫安， IB = （ -
-)40mA
IC = （ -
- ） 400毫安， IB = （ -
-)40mA
IC = （ -
- ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ -
- ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--)120
(--)100
(--)6
(80)80
(700)850
(40)50
100*
120
(13)8.5
(-
-0.2)0.1
(--)0.85
(-
-0.6)0.4
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(--)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
*:
该2SA1416 / 2SC3646被百毫安的hFE分类如下：
秩
R
S
T
的hFE
100至200
140至280
200至400
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
50Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
50V
IB1
IB2
RB
RL
IC=10IB1=--10IB2=400mA
（对于PNP ，极性是相反的）
No.2005-2/5
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
