订购数量： ENN1334D
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA1319/2SC3332
高压开关的应用
特点
· Hgih击穿电压。
•优秀ħ
FE
线性度。
·宽ASO和击穿高度耐药。
·采用MBIT过程。
包装尺寸
单位：mm
2003B
[2SA1319/2SC3332]
5.0
4.0
4.0
切换测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
50Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
100V
20IB1=--20IB2=IC=300mA
（对于PNP ，极性是相反的。 ）
1.3
1.3
IB1
RB
IB2
产量
0.45
0.5
14.0
RL
333Ω
0.6
2.0
5.0
0.45
0.44
1
2
3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
三洋： NP
（）： 2SA1319
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V CBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
评级
(–)180
(–)160
(–)6
(–)0.7
(–)1.5
700
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
˚C
˚C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
我EBO
hFE1
hFE2
VCB = （ - ） 120V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 10毫安
100*
80
条件
评级
民
典型值
最大
(–)0.1
(–)0.1
400*
单位
μ
A
μ
A
* ：本2SA1319 / 2SC3332进行分类100毫安ħ
FE
如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
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83002TN （ KT ） / 71598HA （ KT ） / 3207KI / N257KI / 3135KI / O183KI ， TS No.1334-1 / 4
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