2SA1319/2SC3332
从接下页。
参数
增益带宽积
公共基础输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
fT
ç OB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
条件
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB=(–)10V
IC = （ - ） 250毫安， IB = （ - ） 25毫安
(–)180
(–)160
(–)6
(60)50
(900)
1000
(60)60
评级
民
典型值
120
(11)8
(0.20)
0.12
(–)0.85
(0.5)
0.4
(–)1.2
马X
单位
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
IC = （ - ） 250毫安， IB = （ - ） 25毫安
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10
μ
A， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IE = （ - ） 10
μ
A， IC = 0
吨
TSTG
tf
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
--
800
--
700
IC - VCE
从上
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
2SA1319
脉冲
800
700
IC - VCE
从上
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
2SC3332
脉冲
50m
A
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
--
600
--
500
--
400
--
300
--
200
--
100
0
0
--120mA
--80mA
--60mA
--40mA
--20mA
600
500
400
300
200
100
40mA
30mA
20mA
10mA
--
0.2
--
0.4
--
0.6
--
0.8
集电极 - 发射极电压VCE - V
IB=0
--
1.0
ITR03218
0
IB=0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ITR03219
--
800
--
700
IC - VCE
2SA1319
--5.0mA
脉冲
A
--4.5m
--4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--2.5mA
--2.0mA
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
IC - VCE
集电极电流， IC - 毫安
--
600
--
500
--
400
--
300
--
200
--
100
0
0
集电极电流， IC - 毫安
800
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2SC3332
脉冲
600
2.0mA
400
--1.5mA
--1.0mA
--0.5mA
1.5mA
1.0mA
200
0.5mA
0
--
10
--
20
--
30
--
40
--
50
--
60
集电极 - 发射极电压VCE - V
IB=0
--
70
--
80
ITR03220
IB=0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
集电极 - 发射极电压VCE - V
公共基础输出电容，科夫 - pF的
100
7
5
3
2
ITR03221
1000
IC - VBE
VCE=5V
COB - VCB
集电极电流， IC - 毫安
800
332
2SA
1319
2SC3
600
10
7
5
3
2
2SA
131
9
2SC
333
2
400
200
0
对于PNP ，减号
符号，省略。
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ITR03222
1.0
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
基极发射极电压VBE - V
集电极 - 基极电压VCB - V
2
100
ITR03223
No.1334-2/4
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
