2SB1412 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1412
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内容描述：	PNP硅低频晶体管 [PNP Silicon Low Frequency Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 209 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SB1412

公司Bauelemente

符合RoHS产品

PNP硅

低频晶体管

特点

1 ）低V

（SAT）。

2 ）出色的直流电流增益特性

3 ）补充了2SD2118

6.6

5.3

0.2

0.1

D- PACK

2.3

0.5

0.1

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

CBO

首席执行官

EBO

−30

−20

−6

−5

−10

0.5

2SB1326

结温

储存温度

TSTG

150

−55

+150

0.2

2.5

A（脉冲）

∗

值w（t

°C)

∗

0.7

0.8

0.1

1.0

0.3

A（ DC ）

5.6

7.0

0.2

参数

符号

范围

单位

1.2

1.5Max

0.3

2SB1386

集电极电源

耗散

2SB1412

0.3

0.1

0.6

2.3

0.1

°C

∗

1单脉冲， PW = 10毫秒

∗

2当安装在40

0.7毫米陶瓷板。

∗

3印刷电路板玻璃环氧树脂板1.6mm厚镀铜百毫米

或更大。

电气特性

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流

传输比

2SB1386,2SB1412

2SB1326

COB

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

分钟。

−30

−20

−6

−

120

−

典型值。

−

120

马克斯。

−

−0.5

−1.0

390

−

单位

µA

−

兆赫

=−50µA

=−1mA

=−50µA

=−20V

=−5V

=−4A/−0.1A

=−2V,

=−0.5A

=−6V,

=50mA,

f=30MHz

=−20V,

=0A,

f=1MHz

条件

CE （ SAT ）

∗

跃迁频率

输出电容

∗

利用脉冲电流测量。

包装规格和h

包

CODE

TYPE

2SB1386

2SB1412

2SB1326

PQR

−

基本订购

单位（件）

T100

1000

TAPING

2500

−

TV2

2500

−

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01君2002年修订版A

第1页3

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