2SB1412
公司Bauelemente
PNP硅
低频晶体管
!
电气特性曲线
集电极电流：我
C
(A)
-10
V
CE
=−
2V
-5
集电极电流：我
C
(A)
-5
直流电流增益：H
FE
-2
-1
-500m
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-1m
0
Ta
=
100
°C
25
°C
−
25
°C
-4
−
50mA
−
45mA
−
40mA
−
35mA
Ta=25°C
mA
−
30
5mA
−
2
−
20mA
−15mA
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
Ta=25
°C
-3
−10mA
V
CE
=−
5V
-2
−5mA
−2V
−1V
-1
I
B
=0A
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2 -1.4
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-1m -2m -5m-0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极到发射极电压：
V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流（ Ι ）
V
CE
=−1V
直流电流增益：H
FE
V
CE
=−2V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
5k
2k
直流电流增益：H
FE
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
Ta=25°C
1k
500
200
100
50
20
10
5
-1m-2m -5m-0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
Ta=100
°C
25
°C
−25°C
Ta=100
°C
25
°C
−25°C
I
C
/I
B
=50/1
40/1
/1
30/1
10/1
-1m-2m -5m-0.01-0.02-0.05-0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙ ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙΙ ）
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ Ι ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
l
C
/l
B
=
10
l
C
/l
B
=
30
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
l
C
/l
B
=
40
−25°C
25
°C
Ta=100
°C
25
°C
Ta=100
°C
25
°C
−25°C
−25°C
Ta=100
°C
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
-2m -5m -0.01-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙ ）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙΙ ）
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（IV）的
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01君2002年修订版A
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