2N6800
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
N沟道ENHANCE-
换货
功率MOSFET
BV
DSS
I
D
R
DS （ ON）
400V
3.0A
Ω
1.0Ω
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
特点
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
2.54
(0.100)
3
•额定雪崩能量
•密封
•动态的dv / dt额定值
•简单的驱动要求
45°
TO39 - 包（ TO205AF ）
PIN 1 - 源
2脚 - 门
3脚 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJCA
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
(V
GS
= 10V ，T
例
= 25°C)
(V
GS
= 10V ，T
例
= 100°C)
±20V
3A
2A
12A
25W
0.20W/°C
4V/ns
-55 ℃〜150℃
5.0°C/W
175°C/W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300µs,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 50V ，L
≥
0.100mH ，R
G
= 25Ω ，山顶我
L
= 1.5A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
1.5A ， di / dt的
≤
50A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150 ° C，建议ř
G
= 7.5Ω
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
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Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
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文档编号3097
第1期
SEME-LAB [ SEME LAB ]
