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2N6800 参数 Datasheet PDF下载

2N6800图片预览
型号: 2N6800
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内容描述: N沟道ENHANCE - MENT功率MOSFET [N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 2 页 / 53 K
品牌: SEME-LAB [ SEME LAB ]
 浏览型号2N6800的Datasheet PDF文件第1页  
2N6800
电气特性
(环境温度Tamb = 25° C除非另有说明)
参数
BV
DSS
∆T
J
R
DS ( ON)
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
二极管的正向电压
反向恢复TimeReverse
恢复电荷
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
(从漏极焊盘中心到死)
内部源极电感
(从源盘的中心,结束源焊线)
1 )脉冲测试:脉冲宽度
300µs,
δ ≤
2%
2 )重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
I
D
= 3A
I
D
= 2A
I
D
= 3A
I
D
= 250µA
I
DS
= 2A
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
400
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.37
1
1.15
2
2
25
250
100
–100
620
200
75
19.1
1
6.7
33
5.8
19.9
30
35
55
35
3
12
4
V /°C的
V
S(Ω
µA
nA
)
(
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
笔记
V
DS
= 0.8xMax评级
pF
V
DS
=最大额定值×0.5
nC
V
DD
= 200V
I
D
= 3A
V
GS
= 10V
R
G
= 7.5Ω
ns
A
V
ns
µC
I
S
= 3.0A
V
GS
= 0
I
F
= 3.0A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
微不足道
5
15
1.4
700
6.2
d
i
/ d
t
100A / μs的V
DD
50V
nH
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 ) 556565.传真:+44( 0 ) 1455 ) 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网站
文档编号3097
第1期