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    HFD5N65S 参数 Datasheet PDF下载

    HFD5N65S图片预览
    型号： HFD5N65S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 650V N沟道MOSFET [650V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 983 K
    品牌： SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
     浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HFD5N65S的Datasheet PDF文件第8页  
    HFD5N65S_HFU5N65S
    典型特征
    （续）
    1.2
    2.5
    BV
    DSS
    （归一化）
    漏源击穿电压
    R
    DS （ ON）
    （归一化）
    漏源导通电阻
    2.0
    1.1
    1.5
    1.0
    1.0
    0.9
    *注意：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. I
    D
    = 250
    µA
    0.5
    *注意：
    1. V
    GS
    = 10 V
    2. I
    D
    = 2.0 A
    0.8
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    0.0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    T
    J
    ，结温[C]
    T
    J
    ，结温[C]
    图7.击穿电压变化
    与温度
    4
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    图8.导通电阻变化
    与温度
    10
    µs
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    1毫秒
    10毫秒
    100毫秒
    10
    0
    *注意：
    1. T
    C
    = 25
    o
    C
    2. T
    J
    = 150
    o
    C
    3.单脉冲
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10
    3
    10
    1
    100
    µs
    3
    2
    DC
    1
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    T
    C
    ，外壳温度[C]
    图9.最高安全工作区
    图10.最大漏极电流
    VS外壳温度
    10
    0
    D=0.5
    Z
    θJC
    （T ） ，热响应
    0.2
    0.1
    10
    -1
    *注意：
    1. Z
    θJC
    (t) = 1.37
    o
    C / W最大。
    2.占空比，D = T
    1
    /t
    2
    3. T
    JM
    - T
    C
    = P
    DM
    * Z
    θJC
    (t)
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P
    DM
    t
    1
    -3
    10
    -2
    10
    -5
    t
    2
    10
    1
    10
    -4
    10
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    t
    1
    ，方波脉冲持续时间（秒）
    图11.瞬态热响应曲线
    ◎
    SEMIHOW REV.A0 ， 2010年3月

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