HFH19N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFH19N60
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 709 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFH19N60

典型特征

，漏电流[ A]

，漏源电压[V]

，漏电流[ A]

，栅源电压[V]

图1.地区特点

图2.传输特性

DS （ ON）

[Ω],

漏源导通电阻

，反向漏电流[ A]

，漏电流[ A]

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

8000

7000

6000

国际空间站

= C

+ C

=短路）

OSS

= C

+ C

RSS

= C

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

= 120V

，栅源电压[V]

= 300V

= 480V

电容[ pF的]

5000

4000

3000

2000

1000

-1

国际空间站

OSS

∗

注意;

1. V

= 0 V

2. F = 1 MHz的

RSS

*注：我

= 18.5A

100

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年10月

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