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HFH19N60 参数 Datasheet PDF下载

HFH19N60图片预览
型号: HFH19N60
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内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 709 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFH19N60
典型特征
(续)
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
2.5
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.0
1.5
1.0
*注意:
1. V
GS
=10V
2. I
D
=9.3A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[
o
C]
T
J
,结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
20
图8.导通电阻变化
与温度
16
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
12
8
4
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
0
Z
θJC
(T ) ,热响应
D=0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
*注意:
1. Z
θJC
(t) = 0.42
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θJC
(t)
10
-2
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
0
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
图11.瞬态热响应曲线
SEMIHOW REV.A0 , 2009年10月