欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SFF7N60 参数 Datasheet PDF下载

SFF7N60图片预览
型号: SFF7N60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 310 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号SFF7N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SFF7N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SFF7N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SFF7N60的Datasheet PDF文件第5页  
SFF7N60
开关特性
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
条件
典型值。
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 300V ,我
D
= 7.0A
开启上升时间
R
G
= 25
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ,我
D
= 7.0A
V
GS
= 10V
50
80
70
29
4.7
(注4,5 )
(注4,5 )
12.5
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
s
= 7.0A
V
GS
= 0V时,我
s
= 7.0A
dl
F
/ DT = 100 A /美
(注4 )
350
3.3
7.0
28.0
1.4
A
A
V
nS
uC
笔记
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 10MH ,我
AS
= 7.0A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
,起始物为
J
= 25
3. I
SD
≤ 7.0A ,的di / dt = 200A / us的,V
DD
= BV
DSS
,起始物为
J
= 25
4.脉冲测试:脉冲宽度≤ 300US ,占空比≤ 2 %
5.基本上是独立运作温辐射
3/5