封装/订购信息
模型
SGM8061
SGM8062
SGM8063
订单
数
SGM8061XN5/TR
SGM8061XS/TR
SGM8062XS/TR
SGM8063XN6/TR
SGM8063XS/TR
包
描述
SOT23-5
SO-8
SO-8
SOT23-6
SO-8
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
记号
信息
8061
SGM8061XS
SGM8062XS
8063
SGM8063XS
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- .......................................... 7.5 V
共模输入电压
........................................ (–V
S
） - 0.5 VTO （ + V
S
) +0.5V
存储温度范围................. -65 ℃至+ 150 ℃
结温.............................................. 160 ℃
工作温度范围............ -55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SOT23-5,
θ
JA
......................................................... 190
℃
/W
SOT23-6,
θ
JA
......................................................... 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
................................................................ 125
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
...................................................... 260℃
ESD敏感性
HBM...........................................................................1000V
MM...............................................................................400V
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
额定值只;该装置的这些功能操作
或高于任何其他条件的说明
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损坏
因为非常小的参数变化可能导致的
设备不能满足其公布的规格。
３
SGM8061/2/3
SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
