AO4932
非对称双N沟道MOSFET
C
FET1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=11A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=9A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=11A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.1
60
10
15
12
75
0.4
0.7
4
930
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
90
45
0.7
16
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=11A
7
1170
128
89
1.4
20
8.7
3.2
3
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.4Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 11A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
0.5
500
100
1.65
2.1
12.5
18
15
mA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1400
170
125
2.1
24
10.5
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
2.4
23
4
5.5
5
7
6.5
8.5
8
体二极管反向恢复电荷我
F
= 11A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
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