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    AO4932 参数 Datasheet PDF下载

    AO4932图片预览
    型号： AO4932
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    内容描述： 非对称双N沟道MOSFET [Asymmetric Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 465 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第9页  
    AO4932
    非对称双N沟道MOSFET
    FET 1 ：典型的电和热性能
    35
    10V
    30
    25
    I
    D
    (A)
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    DS
    （伏）
    图1 ：在区域特性（注五）
    14
    归一化的导通电阻
    V
    GS
    =4.5V
    12
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    5
    20
    25
    30
    I
    D
    (A)
    图3 ：导通电阻与漏电流和门
    电压（注五）
    10
    15
    0
    75
    100
    125
    150
    175
    温度（ δ
    C)
    0
    图4 ：导通电阻与结温
    18
    （注五）
    25
    50
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =11A
    V
    GS
    =2.25V
    2.5V
    4.5V
    3V
    30
    2.75V
    I
    D
    (A)
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    1.5
    1.8
    2.1
    2.4
    2.7
    3
    V
    GS
    （伏）
    图2 ：传输特性（注五）
    125°C
    25°C
    35
    V
    DS
    =5V
    17
    V
    GS
    =4.5V
    5
    I
    D
    =9A
    10
    V
    GS
    =10V
    8
    2
    10
    6
    25
    I
    D
    =11A
    20
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    125°C
    15
    I
    S
    (A)
    1.0E+02
    1.0E+01
    1.0E+00
    1.0E-01
    1.0E-02
    1.0E-03
    25°C
    1.0E-04
    1.0E-05
    6
    8
    10
    V
    GS
    （伏）
    图5 ：导通电阻与栅源电压
    （注五）
    2
    4
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    （伏）
    图6 ：体二极管的特性（注五）
    0.0
    0.2
    125°C
    25°C
    40
    10
    5
    3/9
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