AOT11S65/AOB11S65/AOTF11S65
650V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
= 520V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=5V,I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A ，T
J
=25°
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A ，T
J
=150°
C
I
S
=5.5A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
民
650
700
-
-
-
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
750
-
10
-
3.3
0.35
0.98
0.82
-
-
646
42
33
117
1.1
18
13.2
3.2
4.3
25
20
77
19
278
22
4.2
最大
-
-
1
-
±100
4
0.399
1.11
-
11
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
µA
nΑ
V
Ω
Ω
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
µC
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
H
有效的输出电容，时间
相关
I
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0〜 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5.5A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=5.5A,
R
G
=25Ω
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=400V
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=5.5A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
C
小时。 ç
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
一。C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.波峰焊只允许在引线。
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