AON6458
250V ， 14A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
810
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
5
1.9
17
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=10A
1028
167
11
3.9
22
6.3
8
28
V
GS
=10V, V
DS
= 125V ，我
D
=10A,
R
G
=25Ω
I
F
=10A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
125
0.8
57
65
40
158
1
190
1.2
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 200V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
= 40V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.2
3.8
0.14
16
0.72
1
14
42
1240
225
17
5.9
27
250
300
0.25
1
10
±100
4.5
0.17
V
V/
o
C
µA
nΑ
V
Ω
S
V
A
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=10A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量其上安装有1中的装置
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温
T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 4.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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