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SQD19P06-60L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQD19P06-60L
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内容描述: 汽车P沟道60 V (D -S ) 175 ℃的MOSFET [Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 806 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQD19P06-60L
汽车P沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
30
V
GS
= 10
V
直通5
V
24
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
30
24
18
18
12
V
GS
= 4
V
12
6
6
V
GS
= 2
V,
1
V
V
GS
= 3
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0
0
3
6
9
12
15
0
0
2
T
C
= - 55 °C
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
V
oltage (
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
25
T
C
= - 55 °C
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
传输特性
0.25
克FS - 跨导(S )
20
0.20
T
C
= 25 °C
15
0.15
V
GS
= 4.5
V
0.10
V
GS
= 10
V
0.05
10
T
C
= 125 °C
5
0
0
5
10
15
20
25
0
0
6
12
18
24
30
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流( A)
2000
10
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
= 19 A
8
1500
Ç - 电容(pF )
C
国际空间站
V
DS
= 30
V
6
1000
4
500
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
电容
栅极电荷
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