欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SQD25N15-52 参数 Datasheet PDF下载

SQD25N15-52图片预览
型号: SQD25N15-52
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 汽车N沟道150 V(D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 735 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD25N15-52的Datasheet PDF文件第9页  
SQD25N15-52
汽车N沟道
150 V( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
10
3.0
I
D
= 5 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
8
R
DS ( ON)
- 导通电阻
(归一化)
I
D
= 25 A
V
DS
= 75 V
2.5
6
2.0
V
GS
= 10 V
1.5
4
2
1.0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
- 总
费( NC )
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流(A )
T
J
= 150
°C
1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.20
0.15
0.1
T
J
= 25
°C
0.10
T
J
= 150
°C
0.01
0.05
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
源漏二极管正向电压
1.0
190
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0.4
V
GS ( TH)
方差( V)
180
I
D
= 10毫安
- 0.2
I
D
= 5毫安
170
- 0.8
I
D
= 250 μA
- 1.4
160
150
- 2.0
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
140
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度(℃ )
T
J
- 结温( ° C)
阈值电压
漏源击穿与结温
4/9
www.freescale.net.cn