M2F60
■特性図 CHARACTERISTIC
DIAGRAMS
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
10
Forward Power Dissipation
1.4
Peak Surge Forward Current Capability
50
Forward Power Dissipation P
F
〔W〕
Forward Current I
F
〔A〕
5
T
l
=150℃
〔TYP〕
T
l
=25℃
〔TYP〕
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
〔
sine wave
Tj=150℃
〔
Peak Surge Forward Current I
FSM
〔A〕
40
2
30
1
0.5
0
I
FSM
10ms 10ms
20
sine wave
10
0.2
0.1
0
〔
0
1
1cycle
non-repetitive
Tj=25℃
2
5
〔
10
20
50
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Forward Voltage V
F
〔V〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Number of Cycles
ディ
レーティ
ングカーブ
Ta
−
Io
Derating Curve Ta
−
Io
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
1.2
ディ
レーティ
ングカーブ
TaーIo
Derating Curve TaーIo
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
1.5
on alumina substrate
1
〔
sine wave
R-load
free in air
〔
on glass-epoxy substrate
Soldering land : 2 mm
conductor layer : 35μ
Soldering land : 2 mm
conductor layer : 20μ
Substrate thickness : 0.64 t
0.8
1
0.6
0.4
0.5
0.2
〔
V =600V
〕
R
〔
V =600V
〕
R
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta ℃〕
〔
Ambient Temperature Ta
〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導�½��½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
(J
514 - 6)
199