C8051F52x-53x
6.
参考电压
在C8051F52x / F53x器件上的电压基准MUX可以被配置为使用外部连接
参考电压时，内部基准电压发生器，或者在V
DD
电源电压（见
外部源或加在V中的内部参考
REF
销， REFSL应被置为'0' 。要使用
V
DD
作为基准源， REFSL应被置为'1' 。
的BIASE位使内部电压偏置发生器，其用于由ADC ，温度传感器
和内部振荡器。该位被强制为逻辑1时，上述任何外围设备
启用。偏压产生器可以通过写寄存器'1'到BIASE位使能
REF0CN ;见SFR定义6.1 REF0CN寄存器的详细信息。电气规格电压
参考电路列于表6.1 。
内部电压基准电路由一个温度稳定的带隙电压基准发生器
器和增益为2的输出缓冲放大器。输出电压为1.5 V和2.25 V.可选
内部参考电压可驱动输出的V
REF
引脚通过设置寄存器中的REFBE位
REF0CN到一个“1” （见图6.1） 。看到的V中的负载
REF
引脚必须吸取小于200 μA至GND 。
当使用内部参考电压，为0.1 μF和4.7 μF旁路电容的建议
在V
REF
连接到GND 。如果不使用内部基准时， REFBE位应被清除为“0”。电动
规格为内部电压基准列于表6.1 。
REF0CN
REFLV
REFSL
坦佩
BIASE
REFBE
EN
IOSCEN
VDD
外
电压
参考
电路
EN
VREF
偏置发生器
到ADC ，
内部振荡器
温度传感器
为了模拟多路复用器
R1
0
VREF
（艺发局）
GND
VDD
1
REFBE
EN
国内
参考
REFLV
图6.1 。参考电压功能框图
修订版0.3
63
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
