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8.恢复先前的中断状态。
步骤4-6必须重复为每个512字节的页面被擦除。
注意：
闪存安全设置可能会阻止某些Flash的网页，擦除，如保留区和页面
包含锁定字节。对于Flash的安全设置，并影响闪存擦除限制摘要
操作请参见“ 19.3 。安全选项“第114页。
19.1.3 。闪存写入程序
写FLASH存储器可以清除数据位，但不能将它们设置;只有擦除操作可以设置位
在Flash中的逻辑1 。
一个新的值写入之前的字节地址进行编程，应该被删除。
写在Flash中的单个字节的建议过程如下：
1.保存当前中断状态并禁止中断。
2.确保闪存字节已经被擦除（值为0xFF ） 。
3.设置PSWE位（寄存器PSCTL ） 。
4.清除PSEE位（寄存器PSCTL ） 。
5.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
6.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
7.使用MOVX指令，写一个数据字节到512字节的扇区内的所需位置。
8.清除PSWE位。
9.恢复先前的中断状态。
步骤5-7必须重复要被写入的每个字节。
注意：
闪存安全设置可能会阻止写入到Flash中，一些地区如保留区。对于总结
Flash的安全设置和影响闪存的写入操作的限制，请参见“ 19.3 。安全
19.2 。非易失性数据存储
闪存存储器可用于非易失性数据存储以及程序代码。这使得数据
如校准系数被计算并存储在运行时。数据用MOVX写入
写指令，读出用MOVC指令。
注意：
MOVX读指令总是指向XRAM 。
19.3 。安全选项
在CIP -51提供了安全选项用软件来保护意外修改FLASH存储器
器以及防止产权程序代码和常数被读取。程序存储
写使能（ PSCTL寄存器中的PSWE ）和程序存储擦除允许（位PSEE注册
PSCTL ）位由软件防止意外修改FLASH存储器。 PSWE必须被
设置为1之前的软件修改FLASH存储器;无论PSWE和PSEE必须在软设置为1
洁具可以擦除闪存中。额外的安全功能防止产权程序代码和数据
从常量读取或通过C2接口改变。
安全锁定字节的FLASH用户空间的最后一个字节保护FLASH的
从存取存储器（读，写和擦除）被保护代码或C2接口。闪存SECU-
RITY机制，使用户可以锁定所有的Flash网页，从0开始页面，写一个非0xFF的值
锁定字节。
需要注意的是写一个非0xFF的值，以锁定字节的FLASH锁定所有页面从
读，写和擦除，包括锁定字节的页面。
FLASH安全级别取决于对Flash访问的方法。这三种闪存访问的方法
可以限制被读取，写入，并从C2调试接口删除，用户固件上执行
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1.0版
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
