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    C8051F997-GM 参数 Datasheet PDF下载

    C8051F997-GM图片预览
    型号： C8051F997-GM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗， 8-2 KB的闪存，电容式感应MCU [Ultra Low Power, 8-2 kB Flash, Capacitive Sensing MCU]
    分类和应用： 闪存微控制器和处理器外围集成电路时钟
    文件页数/大小： 322 页 / 2448 K
    品牌： SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
     浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第89页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第90页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第91页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第92页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第94页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第95页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第96页浏览型号C8051F997-GM的Datasheet PDF文件第97页  
    C8051F99x-C8051F98x
    VIN +
    VIN-
    CP0+
    CP0-
    +
    CP0
    _
    OUT
    电路CON组fi guration
    积极的滞后电压
    （用CP0HYP位编程）
    VIN-
    输入
    VIN +
    负向回差电压
    （由CP0HYN位编程）
    V
    OH
    产量
    V
    OL
    负滞后
    残
    正滞后
    残
    最大
    正滞后
    最大
    负滞后
    图7.2 。比较器迟滞剧情
    7.5.
    比较寄存器描述
    用来启用和配置比较的特殊功能寄存器：在下列寄存器描述
    说明。比较器必须通过将CP0EN位为逻辑1 ，可以使用之前被激活。
    从使能状态，比较器可以被禁用，并通过清除置于低功耗状态
    CP0EN位为逻辑0 。
    重要注意事项关于比较设置：
    假上升沿和下降沿可以由被检测
    比较同时开机，或者更改了滞后或响应时间控制位。
    因此，建议在上升沿和下降沿标志清为逻辑0，一个
    比较后短的时间内使能或方式位发生变化。比较器上电
    时间被指定在部分“表4.14 。第61页上的比较电气特性“ 。
    1.0版
    93

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