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C8051T606-GM 参数 Datasheet PDF下载

C8051T606-GM图片预览
型号: C8051T606-GM
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内容描述: 混合信号字节可编程EPROM微控制器 [Mixed-Signal Byte-Programmable EPROM MCU]
分类和应用: 微控制器可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 188 页 / 844 K
品牌: SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
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C8051T600/1/2/3/4/5/6
19.1 。上电复位
在上电期间,该器件保持在复位状态, RST引脚被拉低,直到V
DD
上述结算
V
RST
。该装置复位解除前发生的延迟;该延时随着在V
DD
斜坡时间
上升(V
DD
上升时间被定义为有多快V
DD
坡道从0 V到V
RST
) 。图19.2 。绘制的
上电和V
DD
监视活动时间。最大V
DD
斜坡时间为1毫秒;慢斜坡时间可
导致器件从复位V之前发布
DD
到达V
RST
的水平。当上升时间小于
1毫秒,上电复位延迟(T
PORDELAY
)通常小于0.3毫秒。
上从上电或V出口
DD
监视复位, PORSF标志( RSTSRC.1 )被硬件设置为逻辑1 。
当PORSF设置,所有的RSTSRC寄存器中的其它复位标志都是不确定的( PORSF是
而在其他复位清零) 。由于所有的复位都导致程序执行开始在同一地点
( 0×0000 )软件可以通过读PORSF标志来确定是否为上电时间为复位的原因。 CON组
内部数据存储器帐篷应假设后,上电复位是不确定的。在V
DD
MONITOR
被禁用的上电复位。
电源电压
VDD
V
RST
VD
D
t
逻辑高
RST
T
PORDELAY
逻辑低
VDD
MONITOR
RESET
POWER- ON
RESET
图19.2 。上电和V
DD
监视器复位时序
修订版1.2
93