C8051T600/1/2/3/4/5/6
20. EPROM存储器
电可编程只读存储器（EPROM ）被包括在片上的程序代码的存储。该
EPROM存储器可以通过C2调试和编程接口进行编程时，一个特殊的亲
编程电压被施加于V
PP
引脚。在EPROM存储器的每个位置是可编程只一次
（即，不可擦除） 。表8.6第34页显示了EPROM规范。
20.1 。编程和读取EPROM存储器
读取和写入EPROM存储器是通过C2编程和调试接口实现
脸上。当创建硬件编程的EPROM中，必须遵循编程步骤
下面列出。请参阅“C2接口规范”，可http://www.silabs.com上的COM细节
通过C2接口municating 。部分“ 27 。 C2 178页上的接口“拥有约C2注册信息
地址为C8051T600 / 1/2 /3/4 /5/6 。
20.1.1 。 EPROM写入程序
1.使用复位RST引脚的器件。
2.等待至少20微秒发送第一C2命令。
3.将设备中的核心复位：写0x04访问到DEVCTL寄存器。
4.将设备设置为程序模式（第一步骤） ：写0X40的EPCTL寄存器。
5.将设备设置为程序模式（第二步） ：将0x58写入到EPCTL寄存器。
6.应用VPP编程电压。
7.写第EPROM地址进行编程，以EPADDRH和EPADDRL 。
8.写一个数据字节EPDAT 。 EPADDRH ：L将这个写操作之后递增1 。
9.使用C2地址读命令轮询写入完成。
10.（可选）检查寄存器EPSTAT ERROR位，必要时中止编程操作。
11.如果程序没有完成，返回步骤8写序列中的下一个地址，或者返回
第7步编写一个新的地址。
12.Remove的VPP编程电压。
13.Remove程序模式（第一步骤） ：写0X40的EPCTL寄存器。
14.Remove程序模式（第二步骤） ：写0×00到EPCTL寄存器。
15.Reset设备： 0x02写入，然后为0x00到DEVCTL寄存器。
重要注意事项：
有一个有限的时间量的V
PP
可以在不损坏器件被应用，
这是累积在器件的寿命。请参考表8.1第30页上的V
PP
时序规范
化。
修订版1.2
97
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
