Si1141/42/43
表3.性能特点
1
参数
I
DD
关模式
符号
I
关闭
条件
V
DD
＆ LT ; V
DD_OFF
（漏SCL ，
SDA和INT不包括在内）
无ALS / PS转换
人无我
2
C活性
经T > TBD微秒，V
DD
= 1.8 V
无ALS / PS转换
人无我
2
C活性
经T > TBD微秒，V
DD
=3.3 V
不带LED的影响，V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 3.3 V
1.8< V
DD
<2.4 ，我
LEDX
<100毫安
1.8<V
DD
<2.4 ，我
LEDX
＆ LT ; 200毫安
2.4<V
DD
<3.6 ，我
LEDX
<200毫安
2.4<V
DD
<3.6 ，我
LEDX
<359毫安
t
PS
V
DD
= 3.3 V, V
LEDX
<3.0 ，无频闪
V
DD
= 3.3 V ， 3.0<V
LEDX
< 5.0 ，无频闪
民
—
典型值
240
最大
1000
单位
nA
I
DD
待机模式
I
sb
—
150
500
nA
I
DD
待机模式
I
DD
主动测量
山顶IDD同时LED1 ，
LED2 ， LED3或正在积极
驱动的
LED1 ， LED2 ， LED3 ，
饱和电压
2
LED1，LED2 ， LED3
脉冲宽度
LED1，LED2 ， LED3
漏电流
I
sb
I
活跃
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.83
4.3
8
0.3
0.5
0.3
0.5
25.6
.01
1.0
—
5.2
—
—
—
—
—
30
5.0
5.0
µA
mA
mA
V
µs
µA
注意事项：
1.
除非"Conditions"特别说明，电气参数假定周围光线亮度< 1 KLX 。
2.
近程检测性能可能会降低，特别是当有高的光学串扰，如果LED供应
和压降允许驾驶员饱和和电流调节都将丢失。
3.
表示在此期间，该装置吸收电流等于I的时间
活跃
对于功耗估计的目的。
假设默认设置。
4.
适用于单25.6 μs的脉冲测量。通过增加IRLED脉冲宽度， 0.001微瓦/平方厘米
2
弱光下的
可能。
5.
低光条件下的ALS灵敏度可以通过增加ADC积分时间得到改善。 10 MLX分辨率
根据最高ADC积分时间设定可能的。
初步修订版0.5
5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
