Si1141/42/43
表3.性能特点
1
（续）
参数
符号
条件
V
DD
= 3.3 V ，单个驱动器
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0001
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0010
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0011
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0100
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0101
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0110
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 0111
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1000
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1001
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1010
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1011
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1100
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1101
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1110
V
LEDn
= 1 V ， PS_LEDn = 1111
单PS
ALS VIS + ALS IR
ALS两个加三个PS
E
民
E
最大
V
DD
= 3.3 V
= 850 nm的
V
DD
= 3.3 V
= 850 nm的
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
10m
V
DD
= 3.3 V
V
OL
我= 4毫安， V
DD
> 2.0 V
我= 4毫安， V
DD
＆ LT ; 2.0 V
—
—
—
典型值
5.6
11.2
22.4
45
67
90
112
135
157
180
202
224
269
314
359
155
285
660
0.1
—
—
±5
—
—
最大
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
1
—
128k
—
V
DD
x0.2
0.4
单位
LED1，LED2 ， LED3
工作电流
I
LEDX
mA
主动测量时间
µs
µs
µs
µW/
cm
2
毫瓦/
cm
2
lx
%
V
V
PS敏探测
输入反射
PS最大探测
输入反射
ALS范围
5
ALS闪烁噪声误差
SCL ， SDA ， INT输出
低电压
注意事项：
1.
除非"Conditions"特别说明，电气参数假定周围光线亮度< 1 KLX 。
2.
近程检测性能可能会降低，特别是当有高的光学串扰，如果LED供应
和压降允许驾驶员饱和和电流调节都将丢失。
3.
表示在此期间，该装置吸收电流等于I的时间
活跃
对于功耗估计的目的。
假设默认设置。
4.
适用于单25.6 μs的脉冲测量。通过增加IRLED脉冲宽度， 0.001微瓦/平方厘米
2
弱光下的
可能。
5.
低光条件下的ALS灵敏度可以通过增加ADC积分时间得到改善。 10 MLX分辨率
根据最高ADC积分时间设定可能的。
6
初步修订版0.5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
