Si3220/25
表2.推荐工作条件
参数
环境温度
环境温度
电源电压， Si3220 / Si3225
电源电压， Si3200
高电池电源电压， Si3200
电池电量低电源电压， Si3200
符号
T
A
T
A
V
DD1
–V
DD4
V
DD
V
浴
V
BATL
TEST
条件
K / F-级
B / G级
闵*
0
–40
3.13
3.13
–15
–15
典型值
25
25
3.3/5.0
3.3/5.0
—
—
马克斯*
70
85
5.25
5.25
–99
V
浴
单位
o
C
o
C
V
V
V
V
*注意：
所有的最小值和最大值的保证，并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于额定电源电压和25 ° C的工作温度，除非另有说明。
表3. 3.3 V电源特性
(V
DD
, V
DD1
– V
DD4
=
3.3 V ，T
A
=
0 〜70 ℃， K / F-级， -40〜 85°C为B / G级）
参数
V
DD1
–V
DD4
供应
电流（ Si3220 /
Si3225)
符号
I
VDD1
–I
VDD4
测试条件
睡眠模式， RESET = 0
开（高阻抗）
主动挂机待机
正向/反向有功摘机
民
—
—
—
—
典型值
200
17
16
45 + I
LIM
+ ABIAS
47
26
最大
—
—
—
—
单位
µA
mA
mA
mA
正向/反向有功OHT
OBIAS = 4毫安， V
BAT
= –70 V
响，V
环
= 45 V
RMS
, V
BAT
= –70 V,
正弦波， 1任载荷
2
—
—
—
—
mA
mA
注意事项：
1.
所有规格的基础上有两个通道中的运行状态测量一个通道。
2.
见"3.14.4 。振铃电源Considerations" 53页上的电流和功耗下的其他工作
条件。
3.
功耗不包括所需的直流回路馈送额外的电源。系统总功耗必须
包括附加的（Ⅴ
DD
+ |V
BAT
| ） ×1
环
期限。
修订版1.2
5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
