Si3220/25
3.14 。响系数
V
环
环
Si3220
直流偏移
TIP
振铃系数计算的小数
正弦和梯形波形。该RINGPHAS
和RINGAMP十六进制值是十进制到十六进制
在16位2的补码表示法转换
为各自的RAM位置。
为了得到正弦RINGFREQ RAM值时，
RINGFREQ十进制数转换为一个24位的2的
补码值。的低12位被放置在
RINGFRLO位14：3 。 RINGFRLO位15和图2 ： 0顷
清为0以上12位被以类似的设置
方式RINGFRHI ，位13 ： 3 。 RINGFRHI 14位的是
签位和RINGFRHI位2：0被清0 。
为
例如，
该
注册
值
RINGFREQ = 0x7EFD9D如下：
RINGFRHI = 0x3F78
RINGFRLO = 0x6CE8
为了获得梯形RINGFREQ RAM值时，
RINGFREQ十进制数转换为一个8位， 2的
补码值。这个值被装入RINGFRHI 。
RINGFRLO不被使用。
为
GND
V
TIP
直流偏移
V
CM
V
关闭
-80V
V
BATR
V
环
V
OVRING
图25.内部不平衡铃声
为了使不平衡的铃声，设置的RINGUNB位
在RINGCON寄存器。由于内部平衡
振铃时，产生不平衡的振铃波形
通过使用两个片音调发生器之一
在Si3220提供。用于乐音发生器
生成铃声是一个二极谐振器
可编程的频率和幅度。既然铃声
频率比较低的音频带
信号的频率，振铃波形是
在1千赫速率产生。
振铃发生器经由RINGAMP编程
RINGFREQ和RINGPHAS寄存器。该RINGOF
寄存器被用来在周围设置了直流偏移的位置
其中环铅会振荡。非平衡振铃
的中心为-80V ，而不是V
BAT
/ 2.使用环
偏移寄存器（ RINGOF ，间接寄存器56 ）到位置
如所希望的直流偏移。的直流偏移被设定为一个直流分
等于氯乙烯 - （-80 V + VOFF ），其中VOFF是
值，该值被输入到RINGOF RAM单元。
正VOFF值将导致直流偏置点
靠拢接地（低直流偏移） ，以及负
VOFF值将具有相反的效果。直流偏移
可以被设置为任意值;然而，在振铃信号将
被数字地夹住，如果直流偏移被设定为一个值，该值是
不到一半的振荡幅度。在一般情况下，该
下面的公式必须秉承以确保电池
电压是足以提供所希望的振铃
振幅：
|V
BATR
| > | V
RING ， PK
+ (–80 V + V
关闭
) + V
OVRING
|
它可以创建反向极性不平衡
振铃波形（ TIP的铅振荡而
环铅保持不变），通过设置UNBPOLR位
在RINGCON寄存器。在这种模式下，极性
VOFF也必须逆转（在正常振铃极性
VOFF从-80 V中减去，而在相反的极性，
振铃VOFF加到-80 Ⅴ） 。
V
TIP- RING
V
关闭
T = 1 /频率
t
上升
时间
图26.梯形波形振铃
3.14.1 。铃声直流偏置电压
甲直流偏置电压可以被添加到Si3220的交流
通过编程RINGOF RAM波形振铃
定位到相应的设置。的值
RINGOF的计算方法如下：
V
关闭
15
-
RINGOF
= --------------
×
2
160.8
52
修订版1.2
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
