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SI3220DCX-EVB 参数 Datasheet PDF下载

SI3220DCX-EVB图片预览
型号: SI3220DCX-EVB
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内容描述: 双PROSLIC㈢可编程CMOS SLIC / CODEC [DUAL PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC]
分类和应用:
文件页数/大小: 112 页 / 1511 K
品牌: SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
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Si3220/25
该Si3220还可以添加一个DC偏移分量的
振铃信号并通过监测检测到环跳机事件
流动的一次终端设备的直流环路电流
转变到摘机状态。虽然加入DC
偏移减少最大可用的振铃幅度
(使用相同的振铃电源) ,需要该方法
以采购时可靠地检测到有效的环跳闸事件
较长的环路长度。的直流偏移可被编程
从0到64.32伏在RINGOF RAM地址作为
需要产生足够的直流回路电流,在摘
勾状态。根据不同的环路长度和环
跳闸的方法,所述交流或直流环脱扣检测电路是
通过设定各自的环跳变门限禁用,
RTACTH或RTDCTH ,足够高以使它们做
不是在任何情况下跳闸。
3.15.5 。 Si3225环行程检测
V
DD
Si3220/
Si3225
3 V / 5 V继电器
(或极化
非偏振光)
接力
司机
逻辑
V
CC
RRDA / B
TRD1a/b
TRD2a/b
GDD
该Si3225实现外部环探测之旅
方案时,使用标准电池供电的外部
振铃发生器。在本申请中,集中
振铃发生器产生一个不平衡的铃声
信号被分配到单个尖/塞环对。一
每信道振铃继电器需要断开
Si3225从TIP / RING对和应用振铃
信号。通过在环监控振铃输送路径
饲料检测电阻(R
在图31中第59页)上的
系列与呼入源时, Si3225可以检测
直流电流路径创建时里面的挂钩开关
终端设备关闭。内环之旅
检测电路是相同的,示出在
所需的Si3225跳闸电路。由于该
这些应用程序的长循环性质,直流环跳闸
检测方案典型地使用。可以在用户
通过设置禁用交流振铃切断检测电路
RTACTH门槛足够高,因此不跳闸
下的任何条件。
图28.双信道ProSLIC内部继电器驱动器
电路
内部驱动器逻辑和驱动电路供电
用相同的V
DD
电源为芯片的主要V
DD
供应
(V
DD1
–V
DD4
引脚)。当操作从外部继电器
A V
CC
供给等于所述芯片的V
DD
供给,内部
二极管网络提供保护,防止过压
从反激式尖峰条件时,继电器
开。 3 V或5 V继电器所用的用于
在图28中所示的配置,并且任一偏振
或者非偏振光继电器是可接受的,如果在V
CC
V
DD
用品是相同的。的输入阻抗,R
IN
中,
继电器驱动引脚是一个常数11
而下沉
超过额定85毫安到引脚的最大较少。
如果继电器的操作电压(V
CC
)高于
双信道ProSLIC V
DD
电源电压,外部驱动器
电路是必需的,以消除泄漏从V
CC
到V
DD
通过内部保护二极管。在这
构,一个极化继电器将提供最佳
过压
保护
最小
组件。图29示出了所需的外部
驱动电路,和表31提供推荐
对R值
DRV
对于典型的中继特征和V
CC
耗材。输出阻抗,R
OUT
时,继电器的
驱动引脚是一个常数63
而采购不到
最大额定28毫安出脚。
3.16 。继电器驱动器注意事项
双重的ProSLIC设备包括三个
专用继电器驱动器来驱动外部振铃和/或
测试继电器。测试继电器驱动器TRD1a , TRD1b , TRD2a ,
和TRD2b在所有的产品版本提供,
振铃继电器驱动器RRDA和RRDB被列入
该Si3225只。在大多数应用中,中继可以是
直接驱动双信道ProSLIC没有外部
继电器驱动电路的要求。图28显示了
采用3 V或5 V继电器内部继电器驱动电路。
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修订版1.2