Si5338
表6.输入和输出时钟特性（续）
(V
DD
= 1.8 V -5％〜 + 10 ％ ， 2.5 V± 10 ％ ，或3.3 V± 10 ％ ，T
A
= -40〜 85 ℃）下
参数
输入阻抗
输入电容
符号
R
IN
C
IN
测试条件
民
10
—
典型值
—
3.5
最大
—
—
单位
k
pF
输入时钟（直流耦合单端输入时钟引脚上的IN3 / 4 ）
频率
输入电压
输入电压摆幅
上升/下降时间
占空比
输入电容
输出时钟（差分）
0.16
频率
LVPECL ， LVDS
f
OUT
HCSL
V
OC
LVPECL输出电压
V
SEPP
V
OC
V
SEPP
V
OC
V
SEPP
V
OC
HCSL输出电压
V
SEPP
t
R
/t
F
DC
共模
峰对峰的单
端挥杆
共模
峰对峰的单
端挥杆
共模
峰对峰的单
端挥杆
共模
峰对峰的单
端挥杆
20%–80%
367
550
0.16
—
0.55
1.125
0.25
0.8
0.25
0.35
0.575
—
45
—
—
—
—
V
DDO
–1.45 V
0.8
1.2
0.35
0.875
0.35
0.375
0.725
—
—
350
473.33
710
250
—
0.96
1.275
0.45
0.95
0.45
0.400
0.85
450
55
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V
V
PP
V
V
PP
V
V
PP
V
V
PP
ps
%
t
R
/t
F
DC
C
IN
f
IN
V
I
200兆赫
20%–80%
< 4纳秒TR / TF
CMOS
5
–0.1
0.8
—
40
—
—
—
—
—
—
2.0
200
3.63
VDD+10%
2
60
—
兆赫
V
VPP
ns
%
pF
LVDS输出电压
(2.5/3.3 V)
LVDS输出电压
(1.8 V)
上升/下降时间
占空比
注意事项：
1.
为了获得最佳的抖动性能，不断引脚1,2,5,6的速度比0.3 V / ns的输入转换率
2.
未在PLL旁路模式。
3.
为了获得最佳的抖动性能，保持输入单端的转换速率引脚3或4的速度比1 V / ns的
4.
只有两个以上的350兆赫频率的唯一可同时输出， FVCO / 4和FVCO / 6 。
5.
包括内部串联22的效果
电阻器。
8
修订版0.6
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
