Si8440/41/42/45
表3.电气特性
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40〜 125 ºC ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出阻抗
1
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8440Ax ， BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8440Ax ， BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
Z
O
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
85
2.0
2.0
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
—
单位
V
V
V
V
µA
µA
µA
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
2.5
5.7
2.6
1.8
2.5
4.9
3.6
2.3
2.3
4.5
4.5
2.3
3.8
8.6
3.9
2.7
3.8
7.4
5.4
3.5
3.5
6.8
6.8
mA
mA
mA
1 Mbps的电源电流
（所有输入= 500 kHz方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
—
—
3.6
3.0
3.5
3.4
3.6
3.6
5.4
3.9
5.3
5.1
5.4
5.4
mA
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
