SiM3C1xx
表3.2 。耗电量
参数
数字内核电源电流
普通模式
2,3,4,5
-full速度
从闪存执行代码，
外设时钟ON
I
DD
F
AHB
= 80 MHz时，
F
建业
= 40 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 20 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 2.5兆赫
普通模式
2,3,4,5
-full速度
从闪存执行代码，
外设时钟关闭
I
DD
F
AHB
= 80 MHz时，
F
建业
= 40 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 20 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 2.5兆赫
电源模式1
2,3,4,6
-full速度
从RAM执行的代码，
外设时钟ON
I
DD
F
AHB
= 80 MHz时，
F
建业
= 40 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 20 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 2.5兆赫
电源模式1
2,3,4,6
-full速度
从RAM执行的代码，
外设时钟关闭
I
DD
F
AHB
= 80 MHz时，
F
建业
= 40 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 20 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 2.5兆赫
电源模式2
2,3,4
-core叫停
与外设时钟ON
I
DD
F
AHB
= 80 MHz时，
F
建业
= 40 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 20 MHz的
F
AHB
= F
建业
= 2.5兆赫
电源模式3
2,3
I
DD
V
DD
= 1.8 V ，T
A
= 25 °C
V
DD
= 3.0 V，T
A
= 25 °C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
33
10.5
2.0
22
7.8
1.2
30.5
8.5
1.7
20
5.3
1.0
19
7.8
1.3
175
250
36.5
13.3
3.8
24.9
10
3
35.5
10
3.5
23
7.3
2.8
22
9.7
3
—
—
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
1.
Perhipheral电流下降到零，当外设时钟和外周被禁止，除非另有说明。
2.
电流是叠加的。例如，在
I
DD
被指定，并且该模式不相互排斥，从而使
功能增加了供电电流的指定金额。
3.
I
ncludes不能有时钟门控时钟控制模块中的所有外围设备。
4.
包括来自内部稳压器和PLL0OSC （ >20 MHz）或LPOSC0 （ < = 20 MHz）的电源电流。
5.
闪存执行数使用2个等待状态80 MHz和0等待状态，在20MHz以下。
6.
RAM执行数使用0等待状态的所有频率。
7.
IDAC输出电流和下腔静脉输入电流不包括在内。
8.
偏置电流只。不包括振荡器的速度运行动态电流。
初步修订版0.8
7
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
