SiM3C1xx
表3.2 。功耗（续）
参数
电源模式9
2,3
- 低功耗
关闭与VREG0禁用，
通过VDD和VIO供电
符号
I
DD
条件
RTC禁用，
V
DD
= 1.8 V ，T
A
= 25 °C
RTC瓦特/ 16.4 kHz的低频振荡，
V
DD
= 1.8 V ，T
A
= 25 °C
RTC W / 32.768 kHz晶振，
V
DD
= 1.8 V ，T
A
= 25 °C
RTC禁用，
V
DD
= 3.0 V，T
A
= 25 °C
RTC瓦特/ 16.4 kHz的低频振荡，
V
DD
= 3.0 V，T
A
= 25 °C
RTC W / 32.768 kHz晶振，
V
DD
= 3.0 V，T
A
= 25 °C
电源模式9
2,3
- 低功耗
关闭与VREG0在低收入
电源模式， VDD和VIO pow-
ERED通过VREG0 （包括
VREG0电流）
I
VREGIN
RTC禁用，
VREGIN = 5 V ，T
A
= 25 °C
RTC瓦特/ 16.4 kHz的低频振荡，
VREGIN = 5 V ，T
A
= 25 °C
RTC W / 32.768 kHz晶振，
VREGIN = 5 V ，T
A
= 25 °C
VIOHD电流（高驱动I / O显示
体健）
I
VIOHD
HV模式（默认）
LV模式
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
85
350
620
145
500
800
300
650
950
2.5
2
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
µA
nA
注意事项：
1.
Perhipheral电流下降到零，当外设时钟和外周被禁止，除非另有说明。
2.
电流是叠加的。例如，在
I
DD
被指定，并且该模式不相互排斥，从而使
功能增加了供电电流的指定金额。
3.
I
ncludes不能有时钟门控时钟控制模块中的所有外围设备。
4.
包括来自内部稳压器和PLL0OSC （ >20 MHz）或LPOSC0 （ < = 20 MHz）的电源电流。
5.
闪存执行数使用2个等待状态80 MHz和0等待状态，在20MHz以下。
6.
RAM执行数使用0等待状态的所有频率。
7.
IDAC输出电流和下腔静脉输入电流不包括在内。
8.
偏置电流只。不包括振荡器的速度运行动态电流。
8
初步修订版0.8
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
