SSF3022D
栅 - 源反向漏
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）收费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
90
14
24
18.2
15.6
70.5
13.8
3150
300
240
-100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
pF
nS
nC
V
GS
=-20V
I
D
=30A
V
DD
=30V
V
GS
=10V
V
DD
=30V
I
D
= 2A ，R
L
=15Ω
R
G
=2.5Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
①
反向恢复时间
向前开启时间
.
.
分钟。
—
—
—
－
－
典型值。
—
—
—
57
107
马克斯。
60
A
240
1.3
—
—
V
nS
nC
单位
测试条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
=25ْC,I
S
=30A,V
GS
=0V
③
T
J
=25ْC,I
F
=60A
di/dt=100A/μs
③
V
SD
二极管的正向电压
t
rr
t
on
注意事项：
Q
rr
反向恢复电荷
固有的导通时间是可以忽略不计（开启由LS主导+ LD ）
①
重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
②
测试条件： L = 0.3mH ， ID = 40A ， VDD = 50V
③
脉冲width≤300μS ，值班cycle≤1.5 ％ ; RG = 25Ω
开始TJ = 25°C
BV
DSS
EAS测试电路
栅极电荷测试电路
©
Silikron半导体有限公司
2008.11.13
版本： 1.0
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SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]
