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STK10C48-PF25I 参数 Datasheet PDF下载

STK10C48-PF25I图片预览
型号: STK10C48-PF25I
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内容描述: 2K ×8的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [2K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 432 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK10C48
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
D,E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
25
10
5
5
13
0
15
最大
25
35
35
15
5
5
15
最大
35
45
45
20
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK10C48-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C48-35
STK10C48-45
单位
备注:F :W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。 NE必须在整个周期高。
注G: I / O状态假设E,G < V
IL
,W > V
IH
和NE
V
IH
;设备被连续地选择。
注H:测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1:
地址控
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ ( DATA OUT )
SRAM读周期# 2 :
E受控
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ ( DATA OUT )
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
2006年3月
3
文件控制# ML0002修订版0.2