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    STK10C68-LF45I 参数 Datasheet PDF下载

    STK10C68-LF45I图片预览
    型号： STK10C68-LF45I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8K ×8的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 471 K
    品牌： SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
     浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STK10C68-LF45I的Datasheet PDF文件第9页  
    STK10C68
    SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
    符号
    号
    #1
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    t
    AVAV
    t
    WLWH
    t
    ELWH
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    t
    AVWH
    t
    AVWL
    t
    WHAX
    t
    WLQZ
    H，I
    t
    WHQX
    #2
    t
    AVAV
    t
    WLEH
    t
    ELEH
    t
    DVEH
    t
    EHDX
    t
    AVEH
    t
    AVEL
    t
    EHAX
    Alt键。
    t
    WC
    t
    WP
    t
    CW
    t
    DW
    t
    DH
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WR
    t
    WZ
    t
    OW
    写周期时间
    把脉冲宽度
    芯片使能写操作的结束
    数据建立到写结束
    写入结束后数据保持
    地址建立到写结束
    地址建立开始写的
    写入结束后地址保持
    写使能到输出禁止
    输出写入结束后主动
    5
    参数
    民
    25
    20
    20
    10
    0
    20
    0
    0
    10
    5
    最大
    民
    35
    25
    25
    12
    0
    25
    0
    0
    13
    5
    最大
    民
    45
    30
    30
    15
    0
    30
    0
    0
    14
    5
    最大
    民
    55
    45
    45
    30
    0
    45
    0
    0
    15
    最大
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    STK10C68-25
    STK10C68-35
    (V
    CC
    = 5.0V
    ±
    10%)
    STK10C68-45
    STK10C68-55
    单位
    注一：
    注记者：
    如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
    Ë或W必须是
    ≥
    V
    IH
    在地址转换。 NE
    ≥
    V
    IH
    .
    的SRAM写周期＃ 1：
    硬件控制
    j
    t
    AVAV
    地址
    t
    ELWH
    E
    14
    19
    12
    t
    WHAX
    t
    AVWH
    t
    AVWL
    W
    t
    WLWH
    15
    13
    18
    17
    t
    DVWH
    DATA IN
    t
    WLQZ
    数据输出
    以前的数据
    高阻抗
    20
    数据有效
    16
    t
    WHDX
    t
    WHQX
    21
    SRAM写周期＃ 2 ：
    E受控
    j
    t
    AVAV
    地址
    t
    AVEL
    E
    18
    14
    19
    12
    t
    ELEH
    t
    EHAX
    t
    AVEH
    W
    t
    WLEH
    16
    13
    17
    t
    DVEH
    DATA IN
    高阻抗
    数据有效
    15
    t
    EHDX
    数据输出
    2006年3月
    4
    文件控制＃ ML0006修订版0.2

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