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STK10C68-LF45I 参数 Datasheet PDF下载

STK10C68-LF45I图片预览
型号: STK10C68-LF45I
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内容描述: 8K ×8的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 471 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK10C68
设备操作
该STK10C68有两种操作模式:
SRAM
模式和不消失模式,通过所确定的
东北引脚的状态。当
SRAM
模式中, MEM-
储器作为一个标准的快速静态
内存
。而在
不消失模式,数据并行地自转移
SRAM
到非易失性元件或非易失
要素
SRAM
.
非易失性
商店
A
商店
周期时执行网元,E和W,并
低且G为高。而任何序列,其
达到这种状态将启动
商店
只有W¯¯ initi-
通报BULLETIN (
商店
周期# 1 )和E启动(
商店
周期
#2)是实用的,而不用担心一个无意
SRAM写
这将扰乱
SRAM
数据。在一
商店
周期,先前的非易失性数据被擦除
SRAM
内容则编入
非易失性元件。一旦
商店
周期initi-
ated ,进一步的输入和输出被禁用,
DQ
0-7
引脚为三态,直到周期结束。
如果E和G为低和W和网元是高在端
的周期中,一个
将被执行,并且输出
看跌期权会去主动,信号的结束
商店
.
噪声考虑
注意, STK10C68是一个高速存储
因此必须有一个高频旁路电容
大约0.1μF连接V之间器
CC
和V
SS
使用动态迹线是短
可能。与所有高速
CMOS
集成电路,正常
小心路由电源,接地和信号将
防止噪音问题。
SRAM读
该STK10C68执行
周期时ê
和G低, NE和W都很高。地址
引脚指定的
0-12
确定哪个8192的
数据字节将被访问。当
是initi-
由地址转换ated ,输出将
T的延迟后有效
AVQV
(
循环#1) 。如果
用E或G发起,输出将是有效的
在T
ELQV
或者在t
GLQV
,以较迟者为准(
周期#2)。
数据输出将重复响应地址
内T改变
AVQV
而不需要访问时间
对于过渡上的任何控制输入引脚,并且将
保持有效,直到另一个地址变更,或直至ê
或G拉高或W或NE被拉低。
非易失性
召回
A
召回
当E,G和网元的周期进行
低,而W是高的。喜欢
商店
周期,
召回
is
启动时的四个时钟信号,最后去
召回
状态。一旦启动,
召回
周期会吨
NLQX
来完成,在此期间,所有
输入将被忽略。当
召回
完成后,
任何
or
态输入引脚上会
的影响。
在内部,
召回
是一个两步过程。首先,将
SRAM
数据被清除,且第二,非易失性
信息被传输至电
SRAM
细胞。该
召回
在没有办法改变操作中的数据
非易失性单元。非易失性数据可以是
回顾一个无限的次数。
作为与
商店
周期,过渡必须发生在
任何一个控制引脚引起
召回
,防止
无意多触发。上电时,一旦V
CC
超过V
CC
4.25V , A的检测电压
召回
循环自动启动。由于这种自动
召回
,
SRAM
操作不能开始,直到
t
恢复
经过V
CC
超过大约4.25V 。
SRAM写
A
循环执行时E和W分别
LOW和Ne高。地址输入必须台站
均衡器之前进入
周期和必须的
保持稳定,直到东或者西变高的
循环的结束。引脚DQ数据
0-7
将令状
10到存储器,如果它是有效吨
DVWH
年底前
一个W的控制
或T
DVEH
的年底前
E受控
.
建议使得G保持高时的
整个
周期,以避免数据总线争用
常见的I / O线。若G是左低,内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
W¯¯后变低。
上电
召回
上电时,或在任何低功耗状态
(V
CC
< 3.0V) ,一个内部
召回
请求将被
锁存。当V
CC
再次超过所述感
4.25V的电压,
召回
循环会自动
发起并会采取吨
恢复
来完成。
2006年3月
8
文件控制# ML0006修订版0.2