STK11C48
软件
存储/调用
模式选择
E
W
A
10
- A
0
(十六进制)
000
555
2AA
7FF
0F0
70F
000
555
2AA
7FF
0F0
70E
模式
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
笔记
L
H
l
L
H
l
注L:
这六个连续的地址必须是在列出的顺序。则W必须是高的,在所有6个连续的周期,以使非易失性周期。
软件
存储/调用
周期
M,N
STK11C48-25
号
26
27
28
29
30
符号
t
AVAV
t
AVELm
t
ELEHm
t
ELAXm
t
RECALLm
参数
民
存储/调用
启动周期时间
地址建立时间
时钟脉冲宽度
地址保持时间
召回
长短
25
0
20
20
20
最大
民
35
0
25
20
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
STK11C48-35
最大
STK11C48-45
单位
民
45
0
30
20
20
20
最大
ns
ns
ns
ns
μs
注M:软件序列主频与E受控的读取。
注N:六个连续的地址必须是在软件列出的顺序
存储/调用
模式选择表: (000 , 555 , 2AA , 7FF , 0F0 ,
70F )为一
商店
周期或(000 , 555 , 2AA , 7FF , 0F0 , 70E )的
召回
周期。 W¯¯必须在所有六个连续的周期高点。
软件
存储/调用
周期:
E受控
t
AVAV
地址
27
地址# 1
26
t
AVAV
地址# 6
26
t
AVEL
E
t
ELEH
28
t
ELAX
23
30
/
t
召回
29
t
商店
DQ ( DATA OUT )
数据有效
数据有效
高阻抗
2006年3月
6Document控制# ML0003修订版0.2