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STK11C88-3WF25 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STK11C88-3WF25
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内容描述: 32K ×8的nvSRAM 3.3V QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [32K x 8 nvSRAM 3.3V QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 369 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK11C88-3
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ,E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
35
0
13
0
45
5
5
13
0
15
0
55
35
35
15
5
5
15
0
20
最大
35
45
45
20
5
5
20
最大
45
55
55
25
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK11C88-3-35
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45
STK11C88-3-55
单位
备注:F :W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G: I / O状态,假设E和G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H:测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1:
地址控
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ ( DATA OUT )
SRAM读周期# 2 :
E受控
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ (数据
t
ELICCH
I
CC
待机
10
活跃
数据有效
8
2006年3月
3
文件控制# ML0013修订版0.2